气候变化是人类面临的全球性问题，新能源汽车节能减排势在必行。在新能源汽车上，功率器件通常采用传统 IGBT 技术方案，但近年来随着材料科技的发展，第三代半导体 SiC/GaN 正成为技术热点，Micro-LED 也有上车应用的趋势。
基于对第三代半导体材料在新能源汽车上应用的深刻认知和深度市场调研，DeepTech 正式发布《2022 年第三代半导体 SiC/GaN 在新能源汽车中的应用之技术发展路径及产业生态研究报告》（共计 63 页、两万多字）。
围绕“技术-人才-公司”三个核心要素，报告以第三代半导体 SiC 电力电子、GaN 电力电子和 Micro-LED 上车应用为主要研究对象，分析各应用场景不同技术路线竞争情况和驱动因素，了解上车应用的优势、痛点、难点，分析第三代半导体导入时间和路径，厘清当前新能源汽车第三代半导体产业链、技术链和人才链。报告还对中国第三代半导体产业政策、投资以及第三代半导体上车应用的发展趋势做了详细分析。
SiC 电力电子器件已经在新能源汽车上取得应用，在主驱逆变器具有取代 Si IGBT 的趋势。自特斯拉首次采用 SiC 功率模块的逆变器后，比亚迪紧随其后，奥迪、大众、现代、江铃、北汽等 OEM 企业都开始布局。SiC 的市场前景非常明确，预计 2025 年将在中低端车型取得渗透，届时市场将大规模启动，SiC 市场可能会出现供不应求的现象。
GaN 电力电子在短期内可能不会有重大机会，中长期前景广阔。GaN 在新能源汽车领域最先落地的应用场景可能是 OBC 或激光雷达。从长远来看，如果 GaN 以较低的价格证明了其可靠性和大电流能力，它可以渗透到更具挑战性的新能源汽车逆变器市场，与 SiC 和 Si 形成竞争。
中国在第三代半导体技术方面与全球先进水平仍存在一定差距。第三代半导体上车应用还需满足车规级安全性、可靠性要求以及 OEM 企业要求。以 GaN 电力电子技术为例，与全球先进水平相比，中国 GaN 电力电子技术外延、芯片工艺有待突破关键技术，高压 650V 产品量产，低压产品处于应用推广阶段，封装集成度较低。
欧、美、日等国家的第三代半导体产业发展较为成熟，正在引领全球新能源汽车的发展趋势。中国建立了较为完整的第三代半导体产业链，自主可控能力较强。中国台湾地区在 Mini/Micro-LED 领域具有全球领先优势。下图以全球 SiC 器件产业分布为例进行说明。
第三代功率半导体 SiC/GaN 是全球半导体产业战略竞争新高地，全球科研机构和电子巨头投入研发资源卡位 Micro-LED。中国高度重视，形成了成熟的 SiC/GaN/Micro-LED 人才团队，中国台湾地区在 Micro-LED 方面的研究及产业化进展较快。下面以全球 Micro-LED 研究机构分布和中国 SiC/GaN 电力电子主要专家团队为例说明。
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